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521-02-01
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Halbleiter, m
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semiconductor
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semiconducteur, m
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521-02-02
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Einzelelement-Halbleiter, m
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single-element semiconductor
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semiconducteur élémentaire, m
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521-02-03
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Verbindungshalbleiter, m
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compound semiconductor
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semiconducteur composé, m
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521-02-04
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Störstelle, f
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impurity
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impureté, f
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521-02-05
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Störstellen-Aktivierungsenergie, f
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impurity activation energy
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énergie d'activation des impuretés, f
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521-02-06
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Ionenhalbleiter, m
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ionic semiconductor
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semiconducteur ionique, m
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521-02-07
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Eigenhalbleiter, m
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intrinsic semiconductor
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semiconducteur intrinsèque, m
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521-02-08
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Störstellen-Halbleiter, m
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extrinsic semiconductor
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semiconducteur extrinsèque, m
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521-02-09
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N-Halbleiter, m
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N-type semiconductor
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semiconducteur type N, m
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521-02-10
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P-Halbleiter, m
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P-type semiconductor
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semiconducteur type P, m
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521-02-11
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Kompensations-Halbleiter, m
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compensated semiconductor
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semiconducteur compensé, m
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521-02-12
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nichtentarteter Halbleiter, m
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non-degenerate semiconductor
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semiconducteur non dégénéré, m
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521-02-13
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entarteter Halbleiter, m
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degenerate semiconductor
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semiconducteur dégénéré, m
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521-02-14
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Leitungselektron, n
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conduction electron
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électron de conduction, m
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521-02-15
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Leitungsstrom, m
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conduction current
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courant de conduction, m
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521-02-16
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Leiter, m N4)
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conductor
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conducteur, m
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521-02-17
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Loch, n; Defektelektron, n N5)
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hole
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trou, m
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521-02-18
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Löcherleitung, f
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hole conduction
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conduction par trous, f
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521-02-19
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Elektronenleitung, f
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electron conduction
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conduction par électrons, f
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521-02-20
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Eigenleitung, f
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intrinsic conduction
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conduction intrinsèque, f
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521-02-21
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Ionenleitung, f
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ionic conduction
|
conduction ionique, f
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521-02-22
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Leitungsband, n N6)
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conduction band
|
bande de conduction, f
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521-02-23
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Valenzband, n N7)
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valence band
|
bande de valence, f
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521-02-24
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Energielücke, f
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energy gap
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écart énergétique, m
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521-02-25
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Bloch-Energieband, n
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energy band; Bloch band
|
bande d'énergie, f; bande de Bloch, f
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521-02-26
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Energieband, n
|
energy band,
|
bande d'énergie, f
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521-02-27
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teilweise besetztes Band, n
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partially occupied band
|
bande partiellement occupée, f
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521-02-28
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Anregungsband, n
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excitation band
|
bande d'excitation, f
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521-02-29
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erlaubtes Band, n
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permitted band
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bande permise, f
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521-02-30
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verbotenes Band, n
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forbidden band
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bande interdite, f
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521-02-31
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isolierendes Medium, n
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insulant N8)
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isolant, m
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521-02-32
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gefülltes Band, n
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filled band
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bande pleine, f
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521-02-33
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leeres Band, n
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empty band
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bande vide, f
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521-02-34
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Oberflächenband, n
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surface band
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bande de surface, f
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521-02-35
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örtliches Niveau, n; lokales Niveau, n
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local level
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niveau local, m
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521-02-36
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Störstellenniveau, n
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impurity level
|
niveau d'impureté, m
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521-02-37
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|
Störstellenband, n
|
impurity band
|
bande d'impureté, f
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521-02-38
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|
Donator, m
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donor
|
donneur, m
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521-02-39
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Akzeptor, m
|
acceptor
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accepteur, m
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521-02-40
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Donatorniveau, n
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donor level
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niveau donneur, m
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521-02-41
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Akzeptorniveau, n
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acceptor level
|
niveau accepteur, m
|
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521-02-42
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|
Oberflächenniveau, n
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surface level
|
niveau de surface, m
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521-02-43
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Donator-Ionisierungsenergie, f
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ionizing energy of donor
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énergie d'ionisation d'un donneur, f
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521-02-44
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Akzeptor-Ionisierungsenergie, f
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ionizing energy of acceptor
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énergie d'ionisation d'un accepteur, f
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521-02-45
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Idealkristall, m
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ideal crystal
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cristal idéal, m
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521-02-46
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stöchiometrische Zusammensetzung, f
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stochiometric composition
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composition stœchiométrique, f
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521-02-47
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Gitterstörstelle, f
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imperfection (of a crystal lattice)
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imperfection (d'un réseau cristallin), f
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521-02-48
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Eigenleitfähigkeit, f
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intrinsic conductivity
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conductivité intrinsèque, f
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521-02-49
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N-Leitfähigkeit, f
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N-type conductivity
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conductivité de type N, f
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521-02-50
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P-Leitfähigkeit, f
|
P-type conductivity
|
conductivité de type P, f
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