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521-03-01
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Einkristallziehen nach Czochralski, n
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growing by pulling, ; growing by Czochralski's method
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croissance par tirage, f; croissance par la méthode de Czochralski, f
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521-03-02
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Einkristallziehen durch Zonenschmelzen, n
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growing by zone melting,
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croissance d'un monocristal par fusion de zone, f
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521-03-03
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Zonenreinigen, n
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zone refining
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purification par zone, f
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521-03-04
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Zonennivellieren, n
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zone levelling
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nivellement par zone, m
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521-03-05
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Dotieren, n
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doping,
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dopage, m
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521-03-06
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Störstellenkompensation, f
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impurity compensation
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compensation au moyen d'impuretés, f
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521-03-07
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Legierungstechnik, f
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alloy technique
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procédé par alliage, m
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521-03-08
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Diffusionstechnik, f
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diffusion technique
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procédé par diffusion, m
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521-03-09
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Planartechnik, f
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planar technique
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procédé planaire, m
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521-03-10
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Mikrolegierungstechnik, f
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micro-alloy technique
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procédé par microalliage, m
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521-03-11
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Mesatechnik, f
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mesa technique
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procédé mesa, m
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521-03-12
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Epitaxie, f
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epitaxy
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épitaxie, f
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521-03-13
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Oberflächenpassivierung, f
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surface passivation
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passivation de surface, f
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521-03-14
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Ionenimplantation (bei Halbleitern), f
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ion implantation
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implantation ionique, f
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521-03-15
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Abscheidung aus der Gasphase, f
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vapour-phase deposition technique
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dépôt en phase vapeur, m
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521-03-16
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Siebdrucktechnik, f
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screen-printing technique
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sérigraphie, f
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521-03-17
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Zerstäubung, f
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sputtering
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pulvérisation sous vide, f
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521-03-18
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chemisch-mechanisches Polieren, n; CMP
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CMP
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polissage mécano-chimique, m; CMP, m
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